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分立半导体
CSD18510Q5BT参考图片

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CSD18510Q5BT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 40V N CH MOSFET
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库存:3,767(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.6732
17.6732
10
¥14.9838
149.838
100
¥11.9893
1198.93
250
¥11.9893
2997.325
500
¥10.4525
5226.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
153 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
CSD18510Q5B
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
147 S
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
44 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
120.700 mg
商品其它信息
优势价格,CSD18510Q5BT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥8.6106
10:¥7.3337
100:¥5.6387
500:¥4.9833
1,500:¥3.4917
9,000:查看
参考库存:5438
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1:¥3.9211
10:¥2.6894
100:¥1.8193
500:¥1.4577
1,500:¥1.00683
4,500:查看
参考库存:35140
分立半导体
整流器 10 Amp 150 Volt 20ns Dual 55 Amp IFSM
1:¥10.6785
10:¥8.8366
100:¥6.7913
500:¥5.8421
参考库存:35143
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