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分立半导体
SIRA32DP-T1-RE3参考图片

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SIRA32DP-T1-RE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:14,798(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.2264
8.2264
10
¥6.78
67.8
100
¥5.2093
520.93
500
¥4.4748
2237.4
1,000
¥3.5369
3536.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V, - 12 V
Qg-栅极电荷
55 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
65.7 W
配置
Single
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
23 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SIRA32DP-T1-RE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
1:¥12.5204
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.458
1,000:¥6.1698
参考库存:4773
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE13
1:¥2.9945
10:¥2.5312
100:¥1.5368
1,000:¥1.1865
4,000:¥1.01474
参考库存:8425
分立半导体
MOSFET MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥7.7631
500:¥6.8704
1,000:¥5.4127
参考库存:2875
分立半导体
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥11.9102
10:¥9.831
100:¥7.5032
500:¥6.4523
1,000:¥5.0963
3,000:¥5.0963
参考库存:8152
分立半导体
MOSFET 30V,NCh NexFET Pwr MOSFET
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.8873
250:¥5.8873
500:¥5.198
参考库存:2590
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