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分立半导体
A1P35S12M3参考图片

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A1P35S12M3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
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库存:2,640(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥301.1337
301.1337
5
¥294.4554
1472.277
10
¥281.0084
2810.084
25
¥269.2451
6731.1275
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Sixpack
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
35 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
250 W
封装 / 箱体
ACEPACK1
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
A1P35S12M3
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
18
子类别
IGBTs
商标名
ACEPACK
商品其它信息
优势价格,A1P35S12M3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 2N-CH 30V 1.4A
1:¥4.8364
10:¥3.9776
100:¥2.4182
1,000:¥1.8758
3,000:¥1.5933
参考库存:6526
分立半导体
稳压二极管 250mW 20V Zener
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:8964
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Auto pwr Schottky 1A 40V VRRM 0.5V
1:¥4.4522
10:¥3.6386
100:¥2.2261
1,000:¥1.7176
5,000:¥1.4577
参考库存:11166
分立半导体
MOSFET Power MOSFET - MOS5
1:¥163.6692
5:¥157.296
10:¥151.3748
25:¥139.0804
参考库存:3466
分立半导体
整流器 85A 1200V Rev
1:¥183.8058
5:¥175.5003
10:¥170.0424
25:¥156.2112
参考库存:3475
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