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分立半导体
IFF600B12ME4PB11BPSA1参考图片

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IFF600B12ME4PB11BPSA1

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库存:2,456(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,964.4146
1964.4146
5
¥1,917.158
9585.79
10
¥1,869.5172
18695.172
25
¥1,843.3125
46082.8125
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.75 V
在25 C的连续集电极电流
600 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
20 mW
封装 / 箱体
152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Press Fit
栅极/发射极最大电压
15 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
6
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001377694
商品其它信息
优势价格,IFF600B12ME4PB11BPSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 VR=150V, IO=10A
1:¥7.2998
10:¥5.6048
100:¥3.8985
1,000:¥2.8928
参考库存:19719
分立半导体
肖特基二极管与整流器 15A,60V,DUAL SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥8.0682
10:¥7.1416
25:¥6.4523
100:¥5.6387
800:¥3.4578
2,400:查看
参考库存:19722
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A,100V, DUAL SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥9.9892
10:¥8.8366
25:¥7.9891
100:¥6.9947
800:¥4.2827
2,400:查看
参考库存:19725
分立半导体
整流器 10A, 600V, G.P. DUAL RECTIFIER
1:¥6.3054
10:¥5.763
100:¥4.4522
500:¥3.2996
2,000:¥2.2148
4,000:查看
参考库存:19728
分立半导体
整流器 4A, 200V, 35NS, SUPER FAST RECTIFIER
1:¥5.3788
10:¥4.4522
100:¥3.3561
500:¥2.4634
1,250:¥1.8532
参考库存:19731
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