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分立半导体
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CSD25501F3

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 20V P CH MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.4634
24.634
100
¥1.1639
116.39
1,000
¥0.89157
891.57
3,000
¥0.73789
2213.67
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
3.6 A
Rds On-漏源导通电阻
260 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.05 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
1.02 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
CSD25501F3
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
3.4 S
下降时间
945 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
428 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
1154 ns
典型接通延迟时间
474 ns
单位重量
0.300 mg
商品其它信息
优势价格,CSD25501F3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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24,000:¥0.83733
45,000:¥0.80682
99,000:¥0.77631
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20,000:¥0.81473
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3,000:¥3.1301
5,000:¥2.9154
10,000:¥2.8137
25,000:¥2.7007
参考库存:23232
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