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分立半导体

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DMN3012LFG-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, NPN
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
10.5 mOhms, 5.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 750 mV
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Qg-栅极电荷
4.7 nC, 9.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
2.3 ns, 2.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.7 ns, 3.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.4 ns, 12.4 ns
典型接通延迟时间
5.1 ns, 4.4 ns
商品其它信息
优势价格，DMN3012LFG-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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分立半导体
整流器 1200 Volt 25 Amp
1:¥37.8776
10:¥31.3462
100:¥25.8205
200:¥25.0521
参考库存:3986
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