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分立半导体
MRF1K50N-TF4参考图片

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MRF1K50N-TF4

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50N-TF4/HWONLY///BOARDS NO MARK
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¥10,051.0562
10051.0562
5
¥9,943.096
49715.48
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
100 mA
Vds-漏源极击穿电压
133 V
增益
23 dB
输出功率
1.5 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 105 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-1230-4
工作频率
1.8 MHz to 500 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
正向跨导 - 最小值
33.5 S
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
零件号别名
935345445598
单位重量
1 kg
商品其它信息
优势价格，MRF1K50N-TF4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDMC7680
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET N-Chan 30/20V PowerTrench
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.571
500:¥6.6896
3,000:¥4.6782
9,000:查看
参考库存:10062
IPA60R280P6XKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3
1:¥16.5206
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.831
1,000:¥8.1473
参考库存:7433
FESB16JT-E3/81
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 16 Amp 600 Volt 50ns
1:¥11.9893
10:¥9.9892
100:¥7.7631
500:¥6.7913
800:¥6.7913
参考库存:7436
STTH2002CFP
STMicroelectronics
分立半导体
整流器 RECTIFIER
1:¥12.2153
10:¥10.4525
100:¥7.9891
500:¥7.0512
参考库存:8179
NTSB40100CTT4G
ON Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 LVFR 40A 100V D2PAK
1:¥12.2944
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥7.3111
800:¥6.0681
参考库存:11917
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