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分立半导体
IKW50N65EH5XKSA1参考图片

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IKW50N65EH5XKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Infineon s new TRENCHSTOP 5 IGBT technology redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT innovation to match the market s high e
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库存：4,004(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥42.8044
42.8044
10
¥36.3408
363.408
100
¥31.5044
3150.44
250
¥29.8885
7472.125
500
¥26.8149
13407.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
275 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW50N65EH5 SP001257944
单位重量
6.049 g
商品其它信息
优势价格，IKW50N65EH5XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FP100R12KT4_B11
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 100A
1:¥1,329.7162
5:¥1,297.6694
10:¥1,265.4757
25:¥1,247.7234
参考库存:2152
STTH806DIRG
STMicroelectronics
分立半导体
整流器 high volt rectifier
1:¥19.7524
10:¥16.7466
100:¥13.447
500:¥11.752
参考库存:3545
IRFP250NPBF
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
1:¥17.515
10:¥14.8256
100:¥11.9102
500:¥10.3734
1,000:¥8.6106
参考库存:8379
IRFS4227TRLPBF
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg
1:¥21.9785
10:¥18.6676
100:¥14.9838
500:¥13.0628
800:¥10.8367
参考库存:3472
IPB015N04LGATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥29.8885
10:¥25.3572
100:¥21.9785
250:¥20.905
1,000:¥15.7522
2,000:查看
参考库存:3144
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