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分立半导体
IKW50N65EH5XKSA1参考图片

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IKW50N65EH5XKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Infineon s new TRENCHSTOP 5 IGBT technology redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT innovation to match the market s high e
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数量单价合计
1
¥42.8044
42.8044
10
¥36.3408
363.408
100
¥31.5044
3150.44
250
¥29.8885
7472.125
500
¥26.8149
13407.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
275 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW50N65EH5 SP001257944
单位重量
6.049 g
商品其它信息
优势价格，IKW50N65EH5XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC846BW RFG
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10:¥1.4577
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10,000:¥0.20792
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BZT52C11-G RHG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
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1:¥1.7628
10:¥1.6159
100:¥0.89948
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.29154
参考库存:27571
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