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分立半导体
RQ6E050ATTCR参考图片

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RQ6E050ATTCR

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Pch -30V -5A Power MOSFET
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数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥3.8194
38.194
100
¥1.7967
179.67
1,000
¥1.356
1356
3,000
¥1.2091
3627.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-457-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
38 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
20.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
9.6 ns
零件号别名
RQ6E050AT
单位重量
5.577 g
商品其它信息
优势价格,RQ6E050ATTCR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET
1:¥49.0194
10:¥41.6518
100:¥36.1148
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参考库存:1568
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双向可控硅 25A BTA UL1557 Cert 4/3 Quadrant Triac
1:¥21.2101
10:¥17.9783
100:¥15.594
250:¥14.8256
1,000:¥11.2209
2,000:查看
参考库存:5727
分立半导体
MOSFET N-Ch 200V 84A TO220-3
1:¥46.6464
10:¥39.6517
100:¥34.352
250:¥32.5779
参考库存:5495
分立半导体
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1:¥6.9947
10:¥5.8421
100:¥3.7629
1,000:¥3.0171
5,000:¥3.0171
参考库存:19021
分立半导体
MOSFET Small-signal MOSFET ID: 2A, VDSS: 40V
1:¥3.5369
10:¥2.3504
100:¥1.3108
1,000:¥0.9605
10,000:¥0.77631
20,000:查看
参考库存:5752
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