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分立半导体
APT94N60L2C3G参考图片

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APT94N60L2C3G

  • Microsemi
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET - CoolMOS
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库存:1,894(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥194.3261
194.3261
5
¥185.6477
928.2385
10
¥179.8056
1798.056
25
¥165.206
4130.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-264-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
94 A
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
505 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
833 W
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
5.21 mm
长度
26.49 mm
宽度
20.5 mm
商标
Microchip / Microsemi
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
110 ns
典型接通延迟时间
18 ns
单位重量
10.600 g
商品其它信息
优势价格,APT94N60L2C3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 100v N ch MOSFET
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥5.9664
500:¥5.2658
2,500:¥3.6951
10,000:查看
参考库存:34434
分立半导体
MOSFET 100V 32A 83W AEC-Q101 Qualified
1:¥40.6461
10:¥33.7305
100:¥27.7415
250:¥26.894
500:¥24.1255
3,000:¥24.1255
参考库存:4640
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
1:¥2,215.4554
2:¥2,162.1194
5:¥2,139.1465
10:¥2,108.4105
参考库存:3768
分立半导体
MOSFET 60V N-Channel 500mohm 1.3A 90mJ
1:¥7.8422
10:¥6.7122
100:¥5.1528
500:¥4.5539
1,000:¥3.5934
3,000:¥3.5934
参考库存:45751
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SIC CHIP/DISCRETE
1:¥23.1311
10:¥19.6733
100:¥17.063
250:¥16.2155
参考库存:4442
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