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分立半导体
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FP50R12KT4

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库存:4,117(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥797.7574
797.7574
5
¥783.0787
3915.3935
10
¥747.8792
7478.792
25
¥722.9062
18072.655
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.25 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
280 W
封装 / 箱体
Econo 3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FP50R12KT4BOSA1 SP000372915
单位重量
180 g
商品其它信息
优势价格,FP50R12KT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
100:¥95.2816
250:¥87.0552
500:¥81.4504
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1,200:¥4.0454
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100:¥89.6768
250:¥81.7555
500:¥76.4558
1,000:¥70.1504
参考库存:37457
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
329:¥21.5943
500:¥19.21
1,000:¥16.2155
2,500:¥15.4471
参考库存:37460
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
191:¥41.1885
250:¥37.8098
500:¥34.4989
1,000:¥30.0467
参考库存:37463
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