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分立半导体
2N7002 H6327参考图片

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2N7002 H6327

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数量单价合计
1
¥2.2261
2.2261
10
¥1.5142
15.142
100
¥0.63732
63.732
1,000
¥0.43053
430.53
3,000
¥0.33787
1013.61
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
300 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
600 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
2N7002
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
200 mS
下降时间
3.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
5.5 ns
典型接通延迟时间
3 ns
零件号别名
2N7002H6327XTSA2 2N72H6327XT SP000929182
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,2N7002 H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR模块 90 Amp 1200 Volt
1:¥358.1535
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250:¥236.2039
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100:¥83.2132
200:¥75.9134
500:¥70.9979
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10:¥48.1832
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20,000:¥0.79891
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