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分立半导体
IPP076N12N3 G参考图片

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IPP076N12N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3
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库存：3,042(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.5208
20.5208
10
¥17.4472
174.472
100
¥15.142
1514.2
250
¥14.3736
3593.4
500
¥12.8368
6418.4
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
7.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
76 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
188 W
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
116 S, 58 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
39 ns
典型接通延迟时间
24 ns
零件号别名
IPP076N12N3GXKSA1 IPP76N12N3GXK SP000652736
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP076N12N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N4749A-T
Rectron
分立半导体
稳压二极管 DO-41 1W Zener 24V 5%
15,000:¥0.30736
25,000:¥0.29945
参考库存:36404
1N3210
Microsemi
分立半导体
整流器 Std Rectifier
100:¥177.8055
250:¥163.3641
500:¥150.4482
参考库存:36407
IPP120N04S3-02
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS-T
500:¥16.2155
1,000:¥13.673
2,500:¥12.9837
5,000:¥12.5204
参考库存:36410
MMSZ5241B
Rectron
分立半导体
稳压二极管 SOD123 Zener 300mW 11 V
18,000:¥0.23843
参考库存:36413
6A8-T
Rectron
分立半导体
整流器 800V 6A
2,400:¥0.84524
参考库存:36416
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