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分立半导体
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STL45N10F7AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 20 mOhm typ., 18 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
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数量单价合计
1
¥8.2942
8.2942
10
¥7.0964
70.964
100
¥5.4579
545.79
500
¥4.8251
2412.55
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-5x6-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
20 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
19.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
72 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
系列
STL45N10F7AG
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
15 ns
商品其它信息
优势价格，STL45N10F7AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRF7904TRPBF
Infineon / IR
分立半导体
MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 7.6A
1:¥6.6105
10:¥5.65
100:¥4.3392
500:¥3.8307
1,000:¥3.0284
4,000:¥3.0284
参考库存:10666
IPG20N06S4L26AATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 55V 20A TDSON-8
1:¥7.2998
10:¥6.2828
100:¥4.8251
500:¥4.2601
5,000:¥2.9945
10,000:查看
参考库存:8895
T435-800B-TR
STMicroelectronics
分立半导体
双向可控硅 4A TRIACS
1:¥8.7575
10:¥7.4241
100:¥5.7065
500:¥5.0398
2,500:¥3.5256
10,000:查看
参考库存:12784
IGW75N60H3
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
1:¥60.3194
10:¥54.5564
25:¥52.0252
100:¥45.1096
参考库存:5097
FCP9N60N
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET SupreMOS 9A
1:¥16.9048
10:¥14.3736
100:¥11.4469
500:¥10.0683
参考库存:5682
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