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分立半导体
IKW30N60H3参考图片

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IKW30N60H3

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数量单价合计
1
¥32.9621
32.9621
10
¥27.9675
279.675
100
¥24.2837
2428.37
250
¥23.052
5763
500
¥20.6677
10333.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
187 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW30N60H3FKSA1 IKW3N6H3XK SP000703042
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,IKW30N60H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20 Amp 100V Schottky Rectifier
1:¥8.0682
10:¥6.8817
100:¥5.2884
500:¥4.6669
1,000:¥3.6838
5,000:¥3.6838
参考库存:19974
分立半导体
MOSFET MV POWER MOS
1:¥11.1418
10:¥9.5259
100:¥7.345
500:¥6.4975
5,000:¥4.5539
10,000:查看
参考库存:9518
分立半导体
MOSFET N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
1:¥7.6049
10:¥6.8139
100:¥5.424
500:¥4.2375
3,000:¥3.1866
6,000:查看
参考库存:4079
分立半导体
整流器 1.0A 200V Micro SMP, ESD PROTECTION
1:¥3.1527
10:¥1.7741
100:¥0.95259
500:¥0.76049
4,500:¥0.44522
9,000:查看
参考库存:24002
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40V, 2A SCHOTTKY
1:¥2.9154
10:¥1.8871
100:¥0.80682
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.47686
参考库存:40554
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