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分立半导体
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2N6190

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small Signal Transistor
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数量单价合计
1
¥76.7609
76.7609
10
¥76.1507
761.507
25
¥69.382
1734.55
100
¥62.6246
6262.46
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-39-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
最大直流电集电极电流
5 A
增益带宽产品fT
30 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
系列
2N6190
直流电流增益 hFE 最大值
120 at 2 A, 2 V
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
30 at 2 A, 2 V
Pd-功率耗散
10 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
零件号别名
2N6190 PBFREE
商品其它信息
优势价格,2N6190的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 SWITCHING DIODE 75 V
1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
3,000:¥0.92208
9,000:¥0.86106
参考库存:10887
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥277.0082
5:¥264.5556
10:¥256.2614
25:¥235.5146
参考库存:4899
分立半导体
肖特基二极管与整流器 WL CSP Low VF 40V Schottky Diode
1:¥4.0002
10:¥2.8476
100:¥1.8645
500:¥1.10627
1,000:¥0.62263
参考库存:29416
分立半导体
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥401.489
5:¥389.3528
10:¥377.8946
25:¥354.3115
参考库存:4941
分立半导体
肖特基二极管与整流器 650 V, 8 A 2-lead SiC
1:¥40.1828
10:¥32.2728
100:¥29.4252
250:¥26.5889
参考库存:5417
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