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分立半导体
IGW25T120参考图片

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IGW25T120

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 1200V 50A
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库存:2,468(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥42.8722
42.8722
10
¥36.4199
364.199
100
¥31.5835
3158.35
250
¥29.9676
7491.9
500
¥26.894
13447
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
190 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.9 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW25T120FKSA1 IGW25T12XK SP000013887
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IGW25T120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DFD RECTIFIER
1:¥4.3844
10:¥3.6838
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
参考库存:10092
分立半导体
MOSFET NFET TSOP6 30V 7A 0.030R
1:¥6.5314
10:¥5.6274
100:¥4.3279
500:¥3.8307
3,000:¥2.6781
9,000:查看
参考库存:7104
分立半导体
IGBT 模块 SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 8 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
1:¥133.5434
10:¥122.7858
25:¥117.7234
100:¥103.6549
参考库存:4256
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:40166
分立半导体
整流器 1.0 Amp 400 Volt Glass Passivated
1:¥3.616
10:¥2.0679
100:¥1.2091
500:¥0.97632
3,000:¥0.66105
6,000:查看
参考库存:15713
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