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分立半导体
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IHW25N120R2

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 25A
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数量单价合计
1
¥34.0356
34.0356
10
¥28.9732
289.732
100
¥25.0521
2505.21
250
¥23.8204
5955.1
500
¥21.357
10678.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
365 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
600V TRENCHSTOP
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IHW25N120R2FKSA1 IHW25N12R2XK SP000212016
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IHW25N120R2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SMBJ5360B/TR13
Microsemi
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3,000:¥9.0626
6,000:¥8.5315
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