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分立半导体
PD57060-E参考图片

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PD57060-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
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库存:3,084(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥415.5462
415.5462
5
¥406.2576
2031.288
10
¥390.3472
3903.472
25
¥377.7477
9443.6925
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
14.3 dB
输出功率
60 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57060S-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
79 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD57060-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFET
1:¥11.752
10:¥10.0683
100:¥7.684
500:¥6.8478
2,500:¥4.7912
10,000:查看
参考库存:15824
分立半导体
MOSFET -12V Vds 8V Vgs TSSOP-8
1:¥12.9837
10:¥10.7576
100:¥8.3733
500:¥7.3337
1,000:¥6.0907
3,000:¥6.0907
参考库存:7517
分立半导体
MOSFET SupreMOS 16A
1:¥39.9568
10:¥33.9678
100:¥29.4252
250:¥27.8884
参考库存:3306
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 1.0A 100 Volt 150ns
1:¥3.842
10:¥2.2713
100:¥1.3221
500:¥1.07576
5,500:¥0.68365
11,000:查看
参考库存:12824
分立半导体
MOSFET 20V 80A 3.0mOhm 2.5V drive capable
1:¥9.4468
10:¥8.0682
100:¥6.2037
500:¥5.4805
1,000:¥4.3279
4,000:¥4.3279
参考库存:6261
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