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分立半导体
IPP50R190CE参考图片

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IPP50R190CE

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数量单价合计
1
¥13.5261
13.5261
10
¥11.4469
114.469
100
¥9.1417
914.17
500
¥8.0682
4034.1
1,000
¥6.6896
6689.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PG-TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
24.8 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
13 V
Qg-栅极电荷
47.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
152 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
7.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.5 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
54 ns
典型接通延迟时间
9.5 ns
零件号别名
IPP50R190CEXKSA1 SP000850802
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP50R190CE的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26894
参考库存:33809
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