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分立半导体
STD44N4LF6参考图片

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STD44N4LF6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 8.9 mOhm 44A STripFET VI Deep
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数量单价合计
1
¥8.2942
8.2942
10
¥7.0964
70.964
100
¥5.4579
545.79
500
¥4.8251
2412.55
2,500
¥3.3787
8446.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
44 A
Rds On-漏源导通电阻
11.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STD44N4LF6
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STD44N4LF6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BUK9660-100A,118
Nexperia
分立半导体
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥7.2207
10:¥6.1585
100:¥4.7234
500:¥4.181
800:¥3.2996
参考库存:9856
S10WB60-5000
Shindengen
分立半导体
桥式整流器 VRM=600 IFSM=170
1:¥34.352
10:¥29.6625
100:¥26.5098
250:¥24.747
参考库存:19390
APT25GR120SD15
Microsemi
分立半导体
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
1:¥72.772
10:¥65.4722
25:¥59.6301
100:¥53.8671
参考库存:19393
MMBZ5239BTS-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 200MW 9.1V
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:19396
SBRT05U10LP-7B
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Super Barrier Rect
3,000:¥1.01474
10,000:¥1.01474
参考库存:19399
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