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分立半导体
STGP8NC60KD参考图片

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STGP8NC60KD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N Ch 500V 0.21 15A Pwr MOSFET
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数量单价合计
1
¥8.8366
8.8366
10
¥7.5258
75.258
100
¥5.7856
578.56
500
¥5.1189
2559.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGP8NC60KD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
7 A
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，STGP8NC60KD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV1N755CUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥139.3064
104:¥139.3064
200:¥127.012
500:¥118.876
参考库存:33901
JAN1N963DUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥111.7231
200:¥101.8921
500:¥95.2816
1,000:¥87.4394
参考库存:33904
JANTX1N7051UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳流二极管
100:¥101.0446
200:¥92.1289
500:¥86.219
1,000:¥79.0661
参考库存:33907
JANTXV1N3038B-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥110.9547
130:¥110.9547
200:¥101.2028
500:¥94.6714
1,000:¥86.8292
参考库存:33910
JANTX1N749DUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥141.928
200:¥129.3963
500:¥121.023
参考库存:33913
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