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分立半导体
SI7772DP-T1-GE3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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SI7772DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:8,313(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.2263
6.2263
10
¥5.0285
50.285
100
¥3.8194
381.94
500
¥3.1527
1576.35
3,000
¥3.1527
9458.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
35.6 A
Rds On-漏源导通电阻
13 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
28 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
29.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SI7
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
37 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
SI7772DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SI7772DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 VR=40V, IO=200mA
1:¥2.7685
10:¥1.8532
100:¥0.83733
1,000:¥0.52997
5,000:¥0.40002
参考库存:5226
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214AA
1:¥3.7629
10:¥2.0905
100:¥1.12209
500:¥0.89948
3,000:¥0.52206
9,000:查看
参考库存:8128
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥51.9461
10:¥46.9515
25:¥44.7254
100:¥38.8042
参考库存:3146
分立半导体
稳压二极管 7.5 Volt 500mW 5%
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥1.02943
1,000:¥0.34578
2,500:¥0.28476
参考库存:4881
分立半导体
稳压二极管 5.1 Volt 410mW 2%
1:¥1.8419
10:¥1.6159
100:¥0.91417
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.29154
参考库存:8563
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