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分立半导体
SISS23DN-T1-GE3参考图片

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SISS23DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8S
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库存：39,370(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.6896
6.6896
10
¥5.3675
53.675
100
¥4.068
406.8
500
¥3.3674
1683.7
3,000
¥3.3674
10102.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
3.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
900 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
300 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
57 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
3.3 mm
系列
SIS
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
44 S
下降时间
50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
140 ns
典型接通延迟时间
45 ns
商品其它信息
优势价格，SISS23DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2EZ17DE3/TR12
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
4,000:¥5.0059
8,000:¥4.8251
参考库存:28488
DMC1229UFDB-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET Comp ENH Mode FET 12V Vdss 8V VGss
10,000:¥1.1639
参考库存:16351
VB40M120C-E3/4W
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40A,120V,TRENCH SKY RECT.
2,000:¥7.9891
3,000:¥7.4354
5,000:¥7.1529
10,000:¥6.8817
参考库存:28493
SD2931-15W
STMicroelectronics
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥494.3863
5:¥483.3236
10:¥464.4187
25:¥449.4349
参考库存:28496
1N5933PE3/TR12
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
4,000:¥5.0059
8,000:¥4.8251
参考库存:28499
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