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分立半导体
IPA057N08N3 G参考图片

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IPA057N08N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 80V 60A TO220FP-3 OptiMOS 3
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库存:3,847(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.3736
14.3736
10
¥12.2153
122.153
100
¥9.7632
976.32
500
¥8.5315
4265.75
1,000
¥7.1077
7107.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
5.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
18 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
39 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
42 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
IPA057N08N3GXKSA1 IPA57N8N3GXK SP000454442
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPA057N08N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30 Volt 200mA Common Anode
1:¥2.5312
10:¥1.7176
100:¥0.83733
500:¥0.71416
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.43053
参考库存:18956
分立半导体
整流器 8A 600V 18ns Hyperfast
1:¥8.1473
10:¥6.6896
100:¥5.1302
500:¥4.407
1,000:¥3.4804
参考库存:5822
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MATCHED NPN
1:¥3.2318
10:¥2.2939
100:¥1.05316
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.69156
参考库存:14289
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V 3A PNP low VCEsat transistor
1:¥3.2318
10:¥2.4182
100:¥1.3108
1,000:¥0.9831
2,000:¥0.85315
参考库存:5096
分立半导体
MOSFET NX3020NAKW/SC-70/REEL 7" Q1/T1
1:¥1.695
10:¥1.1752
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.26103
参考库存:7753
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