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分立半导体
IPD30N10S3L34ATMA1参考图片

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IPD30N10S3L34ATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T
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数量单价合计
1
¥6.6896
6.6896
10
¥5.763
57.63
100
¥4.4296
442.96
500
¥3.9098
1954.9
2,500
¥2.7459
6864.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
31 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
24 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
57 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
XPD30N10
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
IPD30N10S3L-34 IPD3N1S3L34XT SP000261248
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPD30N10S3L34ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSH103,235
Nexperia
分立半导体
MOSFET TAPE13 MOSFET
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
10,000:¥0.66896
20,000:查看
参考库存:46492
BCR16PM-12LG#B00
Renesas Electronics
分立半导体
双向可控硅 TRIAC
1:¥15.2098
10:¥13.7521
25:¥12.2944
100:¥11.0627
参考库存:3588
BSZ0506NSATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET LV POWER MOS
1:¥6.9947
10:¥5.8195
100:¥3.7516
1,000:¥3.0058
5,000:¥2.5312
参考库存:7300
RSD080N06TL
ROHM Semiconductor
分立半导体
2,500:¥3.3787
10,000:¥3.2544
25,000:¥3.1527
参考库存:50320
BTA04-700SRG
STMicroelectronics
分立半导体
双向可控硅 4 Amp 700 Volt
1:¥11.1418
10:¥9.5259
100:¥7.2885
500:¥6.441
参考库存:4482
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