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分立半导体
IPB80P03P4L-07参考图片

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IPB80P03P4L-07

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -30V -80A D2PAK-2 OptiMOS-P2
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库存:3,206(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.7576
10.7576
10
¥9.2208
92.208
100
¥7.0512
705.12
500
¥6.2263
3113.15
1,000
¥4.9155
4915.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
6.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Qg-栅极电荷
63 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
88 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-P2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
60 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
IPB80P03P4L07ATMA1 IPB8P3P4L7XT SP000396288
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB80P03P4L-07的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
1:¥3.0736
10:¥2.3391
100:¥1.2769
1,000:¥0.95259
3,000:¥0.82264
9,000:¥0.7684
参考库存:5277
分立半导体
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280mOhm
1:¥26.668
100:¥25.5832
500:¥24.3628
参考库存:6073
分立半导体
MOSFET BSS84AK/TO-236AB/REEL 11" Q3/T
1:¥2.3052
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
10,000:¥0.30736
20,000:查看
参考库存:30917
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Super Barrier Rectifier
1:¥3.5369
10:¥2.6555
100:¥1.4464
1,000:¥1.08367
3,000:¥0.92999
9,000:¥0.87575
参考库存:3104
分立半导体
肖特基二极管与整流器 100V 1A Schottky Barrier Rectifier
1:¥3.616
10:¥2.2939
100:¥0.9831
1,000:¥0.76049
3,000:¥0.5763
参考库存:8538
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