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分立半导体
SI2323CDS-T1-GE3参考图片

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SI2323CDS-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23
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库存:19,975(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.7574
6.7574
10
¥5.9438
59.438
100
¥4.6104
461.04
500
¥3.4578
1728.9
1,000
¥2.8024
2802.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
39 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
16 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SI2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
20 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
23 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
SI2323CDS-GE3
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,SI2323CDS-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 1.5A,200V SMA AVAL AEC-Q101 Qualified
12,600:¥1.05316
参考库存:24273
分立半导体
整流器 2A, 200V, ESD PROTECTION, SMPA
14,000:¥0.76049
28,000:¥0.69947
参考库存:24276
分立半导体
MOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL
5,000:¥2.8928
10,000:¥2.7798
25,000:¥2.7007
参考库存:24279
分立半导体
整流器 3A,800V, SMPC,Fast Recovery, Avalanche
6,500:¥3.0623
13,000:¥2.9606
19,500:¥2.8589
参考库存:24282
分立半导体
整流器 1200 Volt 30 Amp
500:¥38.5782
参考库存:24285
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