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分立半导体
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IPP060N06N

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1
¥11.30
11.3
10
¥9.605
96.05
100
¥7.684
768.4
500
¥6.7348
3367.4
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
45 A
Rds On-漏源导通电阻
5.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
36 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPP060N06NAKSA1 IPP6N6NXK SP000917402
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP060N06N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MBRT12040
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 40P/28R
50:¥389.4206
100:¥384.2791
250:¥362.843
参考库存:27584
TPMR10D S1G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 60ns, 10A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier
1:¥6.6896
10:¥6.1472
100:¥4.7234
500:¥3.4917
1,500:¥2.3391
4,500:查看
参考库存:27587
1N4685 TR
Central Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 3.42 to 3.78V 500mW Pd Low Noise
10,000:¥3.8081
参考库存:27590
CMSZ5237B TR
Central Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 250mW 5% Tolerance
9,000:¥0.68365
24,000:¥0.63732
45,000:¥0.5763
99,000:¥0.5537
参考库存:27593
1N5624 TR
Central Semiconductor
分立半导体
整流器 200Vrrm 200Vr 140Vr 5.0A 100Ifsm 1.0V
1,600:¥11.0627
4,800:¥10.5994
参考库存:27596
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