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分立半导体
DMP210DUFB4-7B参考图片

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DMP210DUFB4-7B

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET P-Channel -20V FET 8Vgss 0.35W
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1
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2.0001
10
¥1.3786
13.786
100
¥0.5763
57.63
1,000
¥0.39211
392.11
10,000
¥0.26103
2610.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X2-DFN1006-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
15 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
350 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMP210
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
31.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19.3 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25.9 ns
典型接通延迟时间
7.7 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APT13003SZTR-G1
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5,000:¥3.9211
10,000:¥3.7855
25,000:¥3.6612
参考库存:27961
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