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分立半导体
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FS100R12PT4

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库存:4,254(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,107.3435
1107.3435
5
¥1,085.591
5427.955
10
¥1,034.9557
10349.557
25
¥1,013.2936
25332.34
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
135 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
500 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
6
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
FS100R12PT4BOSA1 SP000485594
单位重量
385 g
商品其它信息
优势价格,FS100R12PT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 300V N-Ch MOSFET
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.0625
500:¥6.2376
800:¥4.9268
参考库存:2001
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2X10 Amp 150 Volt
1:¥19.2891
10:¥16.3624
100:¥13.1419
500:¥11.4469
参考库存:2969
分立半导体
整流器 200V 30A UltraFast
1:¥22.2045
10:¥18.9049
100:¥15.142
500:¥13.221
参考库存:4022
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30A 40V 150W NPN
1:¥49.4827
10:¥44.7254
50:¥42.6462
100:¥37.0414
参考库存:2385
分立半导体
MOSFET -30V Dual
1:¥7.2998
10:¥6.2376
100:¥4.7912
500:¥4.2375
1,000:¥3.3448
2,500:¥3.3448
参考库存:9185
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