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分立半导体
FS100R12PT4参考图片

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FS100R12PT4

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库存:4,254(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,107.3435
1107.3435
5
¥1,085.591
5427.955
10
¥1,034.9557
10349.557
25
¥1,013.2936
25332.34
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
135 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
500 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
6
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
FS100R12PT4BOSA1 SP000485594
单位重量
385 g
商品其它信息
优势价格,FS100R12PT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Diode (Rectifier FRD) 150V-VRM 150V-VR 1A-IO 30A-IFSM Single
1:¥3.9211
10:¥3.2544
100:¥1.9775
1,000:¥1.5255
3,000:¥1.3108
参考库存:16992
分立半导体
整流器 1A,800V, GLASS PASSIVATED RECTIFIER
1:¥2.9154
10:¥2.3052
100:¥1.5707
500:¥1.07576
5,000:¥0.72207
10,000:查看
参考库存:16995
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DIODE SCHOTTKY 110V 30A 3PIN 3+TAB
1:¥12.1362
10:¥10.3734
100:¥7.9891
500:¥7.0173
参考库存:16998
分立半导体
MOSFET Nch+Nch 30V 7A MOSFET
1:¥9.2999
10:¥7.91
100:¥6.1133
500:¥5.4014
2,500:¥3.7855
10,000:查看
参考库存:17001
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR
1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.64523
24,000:查看
参考库存:17004
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