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分立半导体
CSD17577Q3AT参考图片

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CSD17577Q3AT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V NCH NexFET MOSFET
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库存:4,060(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.0681
6.0681
10
¥5.0737
50.737
100
¥3.2431
324.31
250
¥3.2431
810.775
1,000
¥2.599
2599
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
5.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
27 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
53 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
3.15 mm
系列
CSD17577Q3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
31 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
4 ns
单位重量
27.700 mg
商品其它信息
优势价格,CSD17577Q3AT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Zener 5W 39V
1:¥5.2206
10:¥4.0906
100:¥2.8476
1,000:¥2.1131
3,000:¥1.7854
参考库存:4496
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Big Chip SELine
1:¥8.9157
10:¥7.6388
100:¥5.876
500:¥5.1867
1,000:¥4.0906
参考库存:4258
分立半导体
变容二极管 50mA Silicn Variable Capacitance Diode
1:¥2.9945
10:¥2.3278
100:¥1.2656
1,000:¥0.94468
3,000:¥0.81473
参考库存:11782
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Silicon Schottky Diode
1:¥2.8476
10:¥1.8871
100:¥0.80682
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.47686
参考库存:11705
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2X20 Amp 15 Volt
1:¥28.2726
10:¥24.0464
100:¥20.905
250:¥19.8202
500:¥17.7523
参考库存:2280
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