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分立半导体
CSD17577Q3AT参考图片

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CSD17577Q3AT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V NCH NexFET MOSFET
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库存：4,060(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.0681
6.0681
10
¥5.0737
50.737
100
¥3.2431
324.31
250
¥3.2431
810.775
1,000
¥2.599
2599
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
5.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
27 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
53 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
3.15 mm
系列
CSD17577Q3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
31 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
4 ns
单位重量
27.700 mg
商品其它信息
优势价格，CSD17577Q3AT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
R5000F-B
Rectron
分立半导体
整流器 200mA 5000V 500ns
1:¥5.763
25:¥4.9268
100:¥4.0002
250:¥3.1527
参考库存:7034
IRLR120TRLPBF
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLR120TRL
1:¥9.831
10:¥8.0682
100:¥6.1698
500:¥5.311
3,000:¥5.311
参考库存:40237
NSVMMUN2232LT3G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 SS SOT23 BR XSTR NPN 50V
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
10,000:¥0.4068
20,000:查看
参考库存:74579
1N4465
Semtech
分立半导体
稳压二极管 Z MET 10V
1:¥69.5402
10:¥62.5455
25:¥57.0198
100:¥51.4037
参考库存:40242
CRS30I40A(TE85L,QM
Toshiba
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30V Vrrm 4.0A IF 50Hz 0.49V VFM
1:¥3.6838
10:¥2.7007
100:¥1.695
1,000:¥1.2656
3,000:¥1.08367
参考库存:40245
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