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分立半导体
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PMV90ENER

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET PMV90ENE/TO-236AB/REEL 7" Q3/T
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库存:6,602(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥1.8871
18.871
100
¥0.81473
81.473
1,000
¥0.62263
622.63
3,000
¥0.47686
1430.58
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
3.7 A
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
3.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
460 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Nexperia
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
6 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,PMV90ENER的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET NCH 12V 55A WLCSP1
5,000:¥6.4975
10,000:¥6.2489
参考库存:31670
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥468.0347
参考库存:31673
分立半导体
稳压二极管 130 Volt 20W 10%
12,500:¥3.9437
参考库存:31676
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T21H400W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥829.9511
参考库存:31679
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - Mosfet
100:¥955.2794
参考库存:31682
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