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分立半导体
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STGD7NC60HT4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 14 Amp
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数量单价合计
1
¥14.7578
14.7578
10
¥12.5204
125.204
100
¥10.0683
1006.83
500
¥8.7575
4378.75
2,500
¥6.7574
16893.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
25 A
Pd-功率耗散
70 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGD7NC60HT4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
25 A
高度
2.4 mm
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
14 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STGD7NC60HT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SISS23DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥6.6896
10:¥5.3675
100:¥4.068
500:¥3.3674
3,000:¥3.3674
参考库存:39370
DMP2104V-7
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET -20V -860mA
1:¥3.2318
10:¥2.5086
100:¥1.356
1,000:¥1.02152
3,000:¥0.87575
9,000:¥0.82264
参考库存:5927
SI7772DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥6.2263
10:¥5.0285
100:¥3.8194
500:¥3.1527
3,000:¥3.1527
参考库存:8313
SPD09P06PL G
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET P-Ch -60V 9.7A DPAK-2
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
2,500:¥2.3391
参考库存:7955
BD136
STMicroelectronics
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Audio Amplfier
1:¥3.6838
10:¥2.8476
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
参考库存:6621
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