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分立半导体
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IPP50R380CE

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数量单价合计
1
¥7.91
7.91
10
¥6.78
67.8
100
¥5.2093
520.93
500
¥4.5991
2299.55
1,000
¥3.6386
3638.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
14.1 A
Rds On-漏源导通电阻
350 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
24.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
98 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
8.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.6 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
7.2 ns
零件号别名
IPP50R380CEXKSA1 SP000850818
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP50R380CE的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SFAS806GHRNG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 8A, 400V, 35NS, SINGLE RECTIFIER ISOLATED
1:¥7.458
10:¥6.8365
100:¥5.2658
500:¥3.8985
800:¥2.8928
2,400:¥2.825
参考库存:17897
GBPC3508 T0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 35A, 800V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON
1:¥27.8206
10:¥24.1255
50:¥19.5151
100:¥16.7466
参考库存:17900
CMH08A(TE12L,Q,M)
Toshiba
分立半导体
整流器 400 Vrrm 2.0A IF 1.8V VFM 20A IFSM
3,000:¥1.8871
9,000:¥1.8193
24,000:¥1.7515
45,000:¥1.7176
参考库存:17903
RW1A030APT2CR
ROHM Semiconductor
分立半导体
MOSFET Trans MOSFET P-CH 12V 3A
1:¥3.2318
10:¥2.4521
100:¥1.3334
1,000:¥0.99892
8,000:¥0.80682
24,000:查看
参考库存:17906
GBPC1506W T0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 15A 600V GLASS PASS WIRE
1:¥27.6624
10:¥23.7413
100:¥18.5998
200:¥16.6788
500:¥14.2945
参考库存:17909
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