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分立半导体
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IPP50R380CE

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数量单价合计
1
¥7.91
7.91
10
¥6.78
67.8
100
¥5.2093
520.93
500
¥4.5991
2299.55
1,000
¥3.6386
3638.6
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
14.1 A
Rds On-漏源导通电阻
350 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
24.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
98 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
8.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.6 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
7.2 ns
零件号别名
IPP50R380CEXKSA1 SP000850818
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP50R380CE的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZDT6790TA
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP HighG 40V
1:¥8.6106
10:¥7.3563
100:¥5.65
500:¥4.9946
1,000:¥3.9437
参考库存:4311
BSZ097N04LSGATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
5,000:¥2.3843
参考库存:39978
FMBM5551
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SSOT6 NPN General Purpose Amplifier
1:¥3.5369
10:¥2.6555
100:¥1.4351
1,000:¥1.07576
3,000:¥0.92999
参考库存:12016
STL12P6F6
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET P-CH 60V 0.13Ohm 3A STripFET VI
1:¥8.5315
10:¥7.3111
100:¥5.6274
500:¥4.972
3,000:¥3.4804
9,000:查看
参考库存:9486
PZTA92T1G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 300V PNP
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:15004
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