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分立半导体
SI8851EDB-T2-E1参考图片

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SI8851EDB-T2-E1

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -20V Vds 8V Vgs MICROFOOT
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库存:4,579(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥3.8759
38.759
100
¥2.938
293.8
500
¥2.4295
1214.75
1,000
¥1.9436
1943.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
MicroFoot-30
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
16.7 A
Rds On-漏源导通电阻
6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
180 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI8
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
50 S
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
115 ns
典型接通延迟时间
35 ns
商品其它信息
优势价格,SI8851EDB-T2-E1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 14A TDSON-8
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.599
1,000:¥2.0792
5,000:¥2.0792
参考库存:6034
分立半导体
肖特基二极管与整流器 60volt 2.0amp
1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.5707
500:¥1.2656
10,000:¥0.7684
参考库存:9841
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 15V NPN SuperSOT4
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
3,000:¥2.2148
参考库存:5441
分立半导体
MOSFET -60V Vds 20V Vgs SOT-23
1:¥3.6838
10:¥2.7798
100:¥2.0679
500:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.1865
参考库存:7829
分立半导体
MOSFET N Ch 60V 0.060 Ohm 16A
1:¥7.5258
10:¥6.441
100:¥4.9494
500:¥4.3731
2,500:¥3.0623
10,000:查看
参考库存:11396
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