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分立半导体
RGT60TS65DGC11参考图片

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RGT60TS65DGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 30A IGBT Stop Trench
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数量单价合计
1
¥22.8938
22.8938
10
¥19.5151
195.151
100
¥16.9048
1690.48
250
¥16.0573
4014.325
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
55 A
Pd-功率耗散
194 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGT60TS65D
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
55 A
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
30 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
RGT60TS65D
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，RGT60TS65DGC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N3866UB
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥305.665
300:¥285.2346
参考库存:54185
JANTX1N5308UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳流二极管
100:¥312.2755
250:¥291.5287
参考库存:54188
JANTX1N3041DUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥297.755
250:¥277.8557
参考库存:54191
JANTX1N6314D
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
100:¥290.7603
250:¥271.4034
参考库存:54194
JANTXV1N6313D
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
100:¥381.0473
250:¥359.7694
参考库存:54197
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