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分立半导体
BSL205N H6327参考图片

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BSL205N H6327

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数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.4691
34.691
100
¥2.1244
212.44
1,000
¥1.6385
1638.5
3,000
¥1.4012
4203.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
39 mOhms, 39 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
3.2 nC, 3.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3 mm
系列
BSL205
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
8.6 S, 8.6 S
下降时间
2.4 ns, 2.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.9 ns, 2.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns, 11 ns
典型接通延迟时间
5.8 ns, 5.8 ns
零件号别名
BSL205NH6327XTSA1 SP001100646
商品其它信息
优势价格,BSL205N H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
1:¥1.07576
10:¥0.97632
100:¥0.34578
1,000:¥0.23052
3,000:¥0.17628
参考库存:31306
分立半导体
MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
1:¥15.594
10:¥13.2888
100:¥10.5994
500:¥9.2999
参考库存:2728
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW-SATURATION VOLTAGE
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,000:¥1.5594
参考库存:4956
分立半导体
稳压二极管 150V 3W
1:¥2.8476
10:¥2.1244
100:¥1.1526
1,000:¥0.86784
2,500:¥0.7458
6,000:¥0.69947
参考库存:9677
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 0.15A
1:¥2.7685
10:¥2.1131
100:¥1.1413
1,000:¥0.86106
8,000:¥0.69156
24,000:查看
参考库存:10278
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