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分立半导体
DMN21D2UFB-7B参考图片

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DMN21D2UFB-7B

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 10K
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数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥2.4295
24.295
100
¥1.04525
104.525
1,000
¥0.79891
798.91
10,000
¥0.54579
5457.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X1-DFN1006-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
760 mA
Rds On-漏源导通电阻
600 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
930 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
380 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN21
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
9.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.2 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19.6 ns
典型接通延迟时间
3.5 ns
单位重量
1 mg
商品其它信息
优势价格,DMN21D2UFB-7B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 200volts 1.0amp
1:¥3.7629
10:¥2.825
100:¥2.1018
500:¥1.7289
10,000:¥1.05994
20,000:查看
参考库存:14124
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1:¥57.1667
10:¥51.7088
25:¥49.2567
100:¥42.8044
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1:¥133.0914
10:¥120.9439
25:¥111.8813
50:¥105.8132
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分立半导体
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1:¥3.1527
10:¥2.0566
100:¥0.88366
1,000:¥0.67574
10,000:¥0.46104
20,000:查看
参考库存:4191
分立半导体
整流器 16A,600V,GLASS Pass Superfast,DUAL Rect
1:¥9.9101
10:¥9.0626
100:¥6.9947
500:¥5.1867
参考库存:6128
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