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分立半导体
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2SD2674TL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 12V 1.5A
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.6894
26.894
100
¥1.4577
145.77
1,000
¥1.1526
1152.6
3,000
¥0.99892
2996.76
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
集电极—基极电压 VCBO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
最大直流电集电极电流
1.5 A
增益带宽产品fT
400 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
270 at 200 mA, 2 V
高度
0.85 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.6 mm
商标
ROHM Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
270
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
2SD2674
商品其它信息
优势价格，2SD2674TL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDMS86310
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥15.142
10:¥12.9046
100:¥10.2943
500:¥8.9948
3,000:¥6.9721
6,000:查看
参考库存:4806
F3L300R12ME4_B23
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 IGBT Module 300A 1200V
1:¥1,397.9456
5:¥1,364.2942
10:¥1,330.4055
25:¥1,311.817
参考库存:1818
TK60S06K3L(T6L1,NQ
Toshiba
分立半导体
MOSFET N-Ch MOS 60A 60V 88W 2900pF 0.008
1:¥12.4526
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9947
2,000:¥5.4014
4,000:查看
参考库存:5742
PMEG3002TV,115
Nexperia
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DIODE SCHTTKY TAPE-7
1:¥2.9154
10:¥2.0566
100:¥0.94468
1,000:¥0.72207
4,000:¥0.61472
参考库存:43915
IHW50N65R5
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
1:¥36.1939
10:¥30.736
100:¥26.668
250:¥25.2781
500:¥22.6678
参考库存:2302
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