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分立半导体
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STGB6NC60HDT4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 PowerMESH TM IGBT
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数量单价合计
1
¥9.2999
9.2999
10
¥7.91
79.1
100
¥6.1133
611.33
500
¥5.4127
2706.35
1,000
¥4.2601
4260.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
Pd-功率耗散
80 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGB6NC60HDT4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
15 A
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
12 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.240 g
商品其它信息
优势价格，STGB6NC60HDT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
EFM206
Rectron
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 GP Sup Fast Si Rect SMB,2A,400V,35ns,GP
6,000:¥0.44522
参考库存:32363
JANTXV1N5543BUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥165.6693
250:¥151.985
500:¥144.6852
参考库存:32366
JANTXV1N5711UBD
Microsemi
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Small-Signal Schottky
100:¥781.9261
参考库存:32369
JAN2N3421S
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥159.2848
250:¥146.1542
500:¥139.1595
参考库存:32372
1N5546BUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Low Voltage Avalanche Zener
146:¥48.7143
250:¥44.4881
500:¥40.567
1,000:¥34.352
2,500:¥32.4988
参考库存:32375
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