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分立半导体
IKZ50N65EH5XKSA1参考图片

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IKZ50N65EH5XKSA1

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库存:4,489(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥51.0195
51.0195
10
¥46.1831
461.831
25
¥44.0248
1100.62
100
¥38.194
3819.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-4
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
85 A
Pd-功率耗散
273 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKZ50N65EH5 SP001160038
单位重量
1.528 g
商品其它信息
优势价格,IKZ50N65EH5XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A200P/141R
25:¥789.4519
50:¥773.1686
100:¥745.348
参考库存:28450
分立半导体
肖特基二极管与整流器 VRM=30 IFSM=60
7,500:¥3.4239
22,500:¥2.9606
参考库存:28453
分立半导体
整流器 100V 200A Super Fast Recovery
25:¥589.6679
50:¥577.5317
100:¥556.7058
参考库存:28456
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 275mW
15,000:¥0.46895
30,000:¥0.43844
60,000:¥0.39211
105,000:¥0.37629
参考库存:28459
分立半导体
整流器 SI STND RECOV DO-8 200-1400V 150A 400PV
60:¥252.8036
100:¥240.0459
200:¥224.0677
参考库存:28462
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