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分立半导体
ZXMS6005DT8TA参考图片

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ZXMS6005DT8TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 60V N-Ch Intellifet 200mohm 1.8A 210mJ
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数量单价合计
1
¥15.8313
15.8313
10
¥13.447
134.47
100
¥10.7576
1075.76
500
¥9.379
4689.5
1,000
¥7.7631
7763.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SM-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
1.8 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
Pd-功率耗散
2.13 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
IntelliFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
ZXMS600
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
19 us, 19 us
产品类型
MOSFET
上升时间
14 us, 14 us
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 us, 34 us
典型接通延迟时间
6 us, 6 us
商品其它信息
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