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分立半导体
IPP032N06N3GXKSA1参考图片

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IPP032N06N3GXKSA1

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库存：4,078(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.8312
13.8312
10
¥11.752
117.52
100
¥9.379
937.9
500
¥8.2264
4113.2
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
2.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
124 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
188 W
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
149 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
120 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
零件号别名
G IPP032N06N3 IPP32N6N3GXK SP000680770
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP032N06N3GXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSZL52C5V6 RW
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 5.6 Volt 200mW 5%
20,000:¥0.34578
24,000:¥0.32996
48,000:¥0.30736
100,000:¥0.26894
参考库存:37174
CMPSH-3 BK
Central Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Diode Schottky
3,500:¥1.5594
10,500:¥1.5029
24,500:¥1.4464
45,500:¥1.4238
参考库存:29690
ES1H F2
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A, 500V, SUPER FAST SM RECTIFIER
15,000:¥0.76049
22,500:¥0.68365
45,000:¥0.60681
97,500:¥0.50737
参考库存:37179
MBRH200200(R)
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 200(A)Schottky Diode Module
50:¥350.2322
100:¥345.6218
250:¥326.2649
参考库存:37182
GBU20M
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
桥式整流器
2,500:¥5.0963
5,000:¥4.9155
参考库存:37185
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  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

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