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IPB100N04S4H2ATMA1参考图片

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IPB100N04S4H2ATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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数量单价合计
1
¥11.9102
11.9102
10
¥10.1474
101.474
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.119
3559.5
1,000
¥5.8986
5898.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
90 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
115 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
XPB100N04
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
IPB100N04S4-H2 IPB1N4S4H2XT SP000711274
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPB100N04S4H2ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1SMA4758HR3G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 1W, 56V, 5% ZENER DIODE, SMA
1:¥4.1471
10:¥2.9945
100:¥1.7741
1,000:¥0.75258
1,800:¥0.65314
参考库存:33614
TSSE3H60HRQG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Trench Schottky 3amp 60v
20,000:¥0.73789
参考库存:33617
BZD27C27P R2
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 1W, 27V, ZENER
7,500:¥0.86784
22,500:¥0.81473
45,000:¥0.72998
参考库存:33620
TS10P03G C2
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 10 Amp 200 Volt 200 Amp IFSM
1,200:¥5.3901
3,600:¥4.8816
6,000:¥4.7799
10,800:¥4.3844
参考库存:33623
GBPC5006T
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 600 V - 50 A
1,000:¥25.5154
2,500:¥24.2046
参考库存:33626
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