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分立半导体
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SGB02N120

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A
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数量单价合计
1
¥14.9047
14.9047
10
¥12.6786
126.786
100
¥10.1474
1014.74
500
¥8.8366
4418.3
1,000
¥7.3789
7378.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
SGB02N120
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
6.2 A
高度
4.4 mm
长度
10 mm
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SGB02N120ATMA1 SGB2N12XT SP000012558
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,SGB02N120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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10:¥2.5764
100:¥1.5029
500:¥1.2204
5,000:¥0.77631
10,000:查看
参考库存:1995
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1:¥1.3108
10:¥1.2317
100:¥0.43844
1,000:¥0.29154
3,000:¥0.22261
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1:¥2.9945
10:¥1.9323
100:¥0.82942
1,000:¥0.63732
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分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 50V 200mA
1:¥2.6103
10:¥1.7854
100:¥0.7458
1,000:¥0.50737
3,000:¥0.40002
参考库存:12275
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