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分立半导体
DMN26D0UFB4-7参考图片

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DMN26D0UFB4-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan
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库存：26,002(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.6894
2.6894
10
¥1.8645
18.645
100
¥0.78422
78.422
1,000
¥0.52997
529.97
3,000
¥0.41471
1244.13
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X2-DFN1006-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
240 mA
Rds On-漏源导通电阻
3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
350 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMN26
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
180 mS
下降时间
15.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13.4 ns
典型接通延迟时间
3.8 ns
单位重量
0.800 mg
商品其它信息
优势价格，DMN26D0UFB4-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1PMT4102CE3/TR7
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥1.695
24,000:¥1.5933
48,000:¥1.5707
参考库存:23512
S1AFK-M3/6B
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1A, 800V, SLIM SMA, STD GPP, SM RECT
14,000:¥0.62263
28,000:¥0.58421
参考库存:23515
VFT1045-M3/4W
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10A,45V,TRENCH SKY RECT.
4,000:¥2.7911
5,000:¥2.6555
10,000:¥2.5538
25,000:¥2.4747
参考库存:23518
VS-180RKI80
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR Thyristors - TO-93 BRAZ SQR-e3
12:¥522.5911
36:¥505.7654
60:¥498.9967
108:¥472.0236
参考库存:23521
UPS170E3/TR13
Microsemi
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
12,000:¥1.5933
24,000:¥1.5368
48,000:¥1.4803
参考库存:23524
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