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分立半导体
DMN2016UTS-13参考图片

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DMN2016UTS-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS
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数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.616
36.16
100
¥2.2035
220.35
1,000
¥1.7063
1706.3
2,500
¥1.4577
3644.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSSOP-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
8.58 A
Rds On-漏源导通电阻
16.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
880 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMN2016
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
16.27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11.66 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
59.38 ns
典型接通延迟时间
10.39 ns
单位重量
158 mg
商品其它信息
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