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分立半导体
IRF6665TRPBF参考图片

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IRF6665TRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 100V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio
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数量单价合计
1
¥7.7631
7.7631
10
¥6.6331
66.331
100
¥5.0963
509.63
500
¥4.4974
2248.7
4,800
¥3.1527
15132.96
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DirectFET-SH
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
4.2 A
Rds On-漏源导通电阻
53 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
8.7 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
42 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DirectFET
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
4.85 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.95 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
4.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.8 ns
工厂包装数量
4800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
7.4 ns
零件号别名
SP001559710
商品其它信息
优势价格，IRF6665TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
KDZVTFTR30B
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 30-34V 10mA SOD-123FL; PMDU
1:¥2.9945
10:¥2.3165
100:¥1.2543
1,000:¥0.94468
3,000:¥0.81473
参考库存:5145
BUK7Y07-30B,115
Nexperia
分立半导体
MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET
1,500:¥2.5538
9,000:¥2.4634
24,000:¥2.3617
参考库存:46115
BZX384B20-E3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 20 Volt 0.2W 2%
1:¥2.147
10:¥1.4238
100:¥0.69947
500:¥0.5989
10,000:¥0.26894
20,000:查看
参考库存:11650
DMC2990UDJQ-7
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
10,000:¥0.5989
20,000:查看
参考库存:11702
IPAN80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥18.1365
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
1,000:¥8.9157
参考库存:3154
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