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分立半导体
DMN26D0UT-7参考图片

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DMN26D0UT-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch -20V VDSS 230mA 300mW
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库存：40,162(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.3843
2.3843
10
¥1.6611
16.611
100
¥0.69156
69.156
1,000
¥0.47686
476.86
3,000
¥0.36838
1105.14
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-523-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
230 mA
Rds On-漏源导通电阻
3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMN26
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
242 mS
下降时间
15.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13.4 ns
典型接通延迟时间
3.8 ns
单位重量
2 mg
商品其它信息
优势价格，DMN26D0UT-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZXTN2010ZQTA
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
参考库存:4669
BSS314PE H6327
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
1:¥3.616
10:¥2.3391
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:3984
STGF19NC60HD
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 晶体管 N-CHANNEL MFT
1:¥16.4415
10:¥13.9894
100:¥11.2209
500:¥9.7632
参考库存:4092
MMBZ5236BS-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 7.5V 200mW
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:5565
IKW40N65H5FKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥34.578
10:¥29.3574
100:¥25.4363
250:¥24.1255
500:¥21.6734
参考库存:3756
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